१३. पी.एन. जंक्शन ला फॉरवर्ड बायस करणे म्हणजे काय ? त्याचा पी.एन. जंक्शनवर काय परिणाम होतो ?
जेव्हा बॅटरीचे पॉझिटिव्ह टर्मिनल पी-टाइप सेमीकंडक्टरशी जोडलेले असते आणि बॅटरीचे नेगेटिव्ह टर्मिनल एन-टाइप सेमीकंडक्टरशी जोडलेले असते तेव्हा अशा कनेक्शनला फॉरवर्ड बायस असे म्हणतात.
जेव्हा PN-जंक्शन फॉरवर्ड बायस्ड असते तेव्हा बॅटरीच्या पॉझिटिव्ह टर्मिनलद्वारा पी-टाइप सेमीकंडक्टर मधील होल्स जंक्शनकडे ढकलले जातात . त्याचप्रमाणे, एन -टाइप सेमीकंडक्टर मधील इलेक्ट्रॉन्स बॅटरीच्या नेगेटिव्ह टर्मिनल द्वारा जंक्शनकडे ढकलले जातात. यामुळे जंक्शनचा अडथळा( Potential barrier) कमी होतो. जंक्शन अडथळा ( Potential barrier) पूर्णपणे काढून टाकण्यासाठी आवश्यक बाह्य व्होल्टेजचे प्रमाण सिलिकॉन डायोडसाठी 0.7V आणि जर्मेनियम डायोडसाठी 0.3V आहे.
जसे इलेक्ट्रॉन्स N क्षेत्र सोडतात तसतसे बॅटरीच्या ऋण टर्मिनलमधून समान संख्येने इलेक्ट्रॉन N क्षेत्रामध्ये प्रवेश करतात. त्याचप्रमाणे इलेक्ट्रॉन्सच्या पुनर्संयोजनामुळे होल नष्ट होतात व बॅटरीच्या पॉझिटिव्ह टर्मिनलद्वारे P क्षेत्रातून समान संख्येने इलेक्ट्रॉन खेचून P क्षेत्रामध्ये समान संख्येने होल्स तयार केली जातात.
ही क्रिया जोपर्यंत बाह्य विद्युत दाब Potential barrier पेक्षा जास्त आहे तोपर्यंत चालू राहते त्यामुळे डायोडमधून विद्युत प्रवाह वाहू लागतो. डायोड या स्थितीत बंद स्विच म्हणून कार्य करते.
No comments:
Post a Comment